村田製作所、220GHz対応の超広帯域シリコンキャパシタ「X2SC」を発表

Extreme 220GHz+Broadband Silicon Capacitor X2SC 0201M 22nF BV11

村田製作所は、光通信や高速データ伝送向けの超広帯域シリコンキャパシタ「X2SC 0201M 22nF BV11」を発表した。この製品は、73kHzから220GHzまでの周波数帯で低挿入損失、低反射、位相安定性を実現し、共振が発生しない。シリコン基板上にトレンチMOSキャパシタと高周波MIMキャパシタを集積し、22nFの大容量とGHz帯での高周波特性を両立。温度変化や電圧変動に対する容量変化が極めて小さく、-55℃から150℃の広い動作温度範囲を持つ。ROSA/TOSA、SONET、高速デジタルロジック、マイクロ波/ミリ波システムなどへの応用が想定されている。