Infineon、世界初の300mmパワーSiCウェハを実現
Infineon marks innovation milestone with 300mm power silicon carbide wafer
Infineonが世界で初めて300mm径のパワーシリコンカーバイド（SiC）ウェハの製造に成功したと発表した。従来の150mmや200mmに比べ大口径化により、1枚あたりのチップ生産量が大幅に増え、コスト削減と供給拡大につながる。電気自動車や再生可能エネルギー向けパワー半導体の需要増に対応する量産体制の基盤となる技術的な節目だ。
Infineon marks innovation milestone with world’s first 300mm power silicon carbide wafer.
HNでの議論
62- BrandiATMuhkuh
Infineonについて驚くのは、彼らがチップ上のLLMに取り組んでいないように見えることだ。特にここリンツでは、Infineon、Appleの5Gモデム設計者、そしてSepp Hochreiter（LSTMの発明者）がいるヨハネス・ケプラー大学がすぐ隣り合っているのに。
ごく最近、InfineonのAI責任者のインタビューを見たんだが、何かクールなハードウェアの話が聞けるとワクワクしていた。ところが彼が話したのは、LLMをどう使っているかということだけだった。
- bradknowles
そのページの冒頭にある要約はこうだ:
Infineon、世界初の300ミリメートルパワー炭化ケイ素（SiC）ウェハでイノベーションのマイルストーンを達成
PBusiness & Financial Press
2026年11月9日
Infineon、300ミリメートル炭化ケイ素ウェハ上で処理された業界初の機能性パワーデバイスを発表
この技術的ブレークスルーは、パワー半導体およびワイドバンドギャップ技術におけるInfineonのイノベーション力とリーダーシップを裏付けるもの
300ミリメートルSiCプロセスの実現可能性は、自動車、再生可能エネルギー、産業、AIデータセンター用途の顧客への安全で将来にわたって盤石なSiC供給の基盤を築く
Infineonは、2026年11月10日からミュンヘンで開催されるelectronicaトレードショーで、最初に処理された300ミリメートルSiCウェハを一般公開する予定
- johntb86
なぜ彼らが300mmへの移行にそんなに時間がかかったのか、誰か知っているだろうか？記事で触れられているように、彼らは主にシリコン向けに設計され、何年も前に移行した既存の300mm装置を使っている。いくつかのプロセス工程は異なるのだろうと思う（主に大きなブールへの成長だが、おそらく他にもある）が、それが大きな障壁になるようには思えない。
- novaRom
皆さん、ヨーロッパでDRAM生産を再開してもらえませんか？20年ほど前には可能だったのなら、今日こそが経済的に最良の機会です。
- mercurywells
Wolfspeedは今年の初めにはすでに300mmに達していたと思っていたのだが？