Hot Chips 2026：Samsung 如何挖掘 HBM 潜力
Hot Chips 2026: Samsung and HBM Base Die Opportunities
随着 HBM4 和 HBM4E 转向 4nm 逻辑工艺，Samsung 发现 Base Die 上出现了大量闲置面积。文章深入探讨了 Samsung 提出的三阶段利用方案：第一阶段将 Memory Controller 移至 Base Die 以优化接口；第二阶段集成 SRAM 用于坏块重映射、传感器及测试模块，甚至探索 In-memory compute；第三阶段则激进地提出将 HBM 直接堆叠在计算芯片之上。这些创新旨在更紧密地耦合 DRAM 与计算单元，虽然面临散热和生态整合挑战，但为未来存储架构指明了新方向。
Samsung 希望通过将内存控制器功能移至 Base Die，并利用定制的 Die-to-Die 接口替代标准 HBM 接口，从而减少计算芯片和 HBM Base Die 上的 PHY 面积。