揭开 DRAM 读干扰：RowHammer 与 RowPress 真相

Demystifying DRAM Read Disturbance: RowHammer and RowPress Phenomena

DRAM 读干扰引发的 RowHammer 和 RowPress 现象，是导致计算系统出现意外位翻转的关键隐患。以往研究要么停留在实验表征，要么局限于器件级物理机制，却难以完全解释所有观测到的现象。这项研究致力于填补实验与建模之间的鸿沟，通过识别现有模型与实验数据在位翻转方向、数量及触发阈值（ACmin）上的不一致，利用严谨的 TCAD 模拟复现了真实芯片中的干扰行为。研究不仅更新了理解 RowHammer 和 RowPress 的器件级错误机制，还锁定了影响模拟精度的关键参数，为未来更高效的实验表征方法和 DRAM 读干扰缓解技术的设计奠定了坚实基础。