Samsung PIM: 614 ГБ/с внутри чипа LPDDR5X

Samsung's Processing-in-Memory (PIM)

Samsung PIM: 614 ГБ/с внутри чипа LPDDR5X

На Hot Chips 2026 Samsung представила LPDDR5X-PIM — чипы памяти со встроенными вычислительными блоками MAC. Благодаря 16 банкам, каждый со своим PIM-блоком, чип достигает внутренней пропускной способности 614 ГБ/с, что в 8 раз быстрее обычного доступа к DRAM. При этом чип совместим со стандартными контроллерами памяти, используя специальные строки адресов для переключения режимов. Однако интеграция в существующие системы сопряжена с серьёзными проблемами: кэширование, предвыборка и спекулятивное выполнение могут нарушить работу PIM, а многозадачные ОС столкнутся с трудностями при изоляции PIM-регионов.

Работа с PIM-регионом, скорее всего, потребует сделать обращения к памяти неспекулятивными и некэшируемыми, что серьёзно снизит производительность CPU.

Ещё за этот день

2026-08-29