オシロスコープを捨てて実測したV-I特性：教科書のグラフはなぜ偽物なのか

Tech note: making your own V-I plots at home

電子回路の教科書やオンラインの解説に載っているV-I特性図の多くは、実測ではなく古い文献のトレースや記憶に基づく「インスパイアされた」ものだと著者は批判。自身の著書『The Secret Life of Circuits』のために、半導体デバイスの正確なV-I曲線を自宅で測定する方法を解説する。オシロスコープの代わりにベンチマルチメータとパルス電源を使い、さらに中古のRohde & Schwarz NGU401（SMU）を格安で入手。FastLogモードで毎秒10kサンプルを取得し、1N4148ダイオードでは数μAから2Aまで、BS170 MOSFETではドレイン-ソース間電圧60V付近のブレークダウン領域までを実測。教科書の理想モデルと実測値のズレ（抵抗効果やブレークダウンの緩やかな立ち上がり）を明らかにする。