Diamond Foundry desarrolla transistores de diamante que conmutan 50 veces más rápido
Diamond Transistor
En colaboración con Stanford University, Diamond Foundry fabrica MOSFET totalmente de diamante mediante doping por transferencia de superficie: una capa atómica de hidrógeno genera un gas bidimensional de huecos sin implantar impurezas en el cristal. Así se preservan la pureza, la conductividad térmica y la rigidez dieléctrica del diamante, y los dispositivos ya igualan el subthreshold swing del silicio de 3 nm.
Al terminar la superficie de una oblea de diamante monocristalino con una capa atómica de hidrógeno, su afinidad electrónica se vuelve negativa, lo que permite que los electrones pasen de la banda de valencia del diamante a especies aceptoras adecuadas en la superficie.