Diamond Foundry 联手斯坦福研发钻石晶体管

Diamond Transistor

Diamond Foundry 与 Stanford University 合作，正在开发基于钻石半导体的晶体管。这项技术利用表面转移掺杂（Surface transfer doping）机制，在不引入替位掺杂原子的情况下诱导电荷载流子，从而保留了钻石本征的高纯度、高导热性和高击穿强度。全新的全钻石 MOSFET 实现了 50 倍更快的开关速度，其亚阈值摆幅（subthreshold swing）已能对标最先进的 3 nm 硅基芯片。这种无需离子注入的技术避免了传统掺杂带来的缺陷和载流子散射，为高功率、高频率及抗辐射电子器件平台带来了革命性的突破。