Samsung 明年 HBM4 产量将翻倍

Samsung is expected to more than double output of its HBM4 and HBM4E DRAM

据消息人士透露，Samsung Electronics 计划明年将其 HBM4 和 HBM4E 系列高带宽内存芯片的产量翻一番以上。这一产能扩张的核心在于关键材料玻璃载板的供应激增，其外包清洗量预计将从今年的每月 2 万片提升至 5 万片，增幅达 2.5 倍。随着 12 层及以上堆叠技术的成熟，第六代和第七代芯片将占据总产量的 80%。行业分析师预测，Samsung 的 HBM 月均晶圆投入量将从今年的 18 万片增长至 25 万片，显示出其在 AI 芯片竞赛中押注高价值产品的决心。