Samsung 推出 zHBM，内存直堆 AI 加速器

Samsung Debuts zHBM Prototype, Stacking Memory Directly on AI Accelerators

Samsung 在 FMS 2026 大会上首次展示了 zHBM 原型，这项技术将 HBM 沿 z 轴直接堆叠在 AI 加速器上，大幅缩短数据传输距离。相比传统架构，zHBM 能将数据处理性能提升高达 8 倍，每瓦性能提升 3 倍，同时热阻降低一半以上。此外，Samsung 还发布了 zNAND-O 和拥有 400 多层结构的 V10 BV-NAND 技术，旨在为 AI 训练和推理提供更高带宽与能效的存储方案。作为全球唯一的 IDM，Samsung 强调其能提供从设计到量产的一站式定制服务，帮助客户优化 AI 半导体解决方案。