Infineon, 세계 최초로 300mm SiC 웨이퍼 생산 성공
Infineon marks innovation milestone with 300mm power silicon carbide wafer
Infineon이 업계 최초로 300mm 실리콘 카바이드(SiC) 전력 웨이퍼를 선보이며 혁신의 이정표를 세웠다. 기존 200mm 대비 웨이퍼당 칩 생산량이 크게 늘어나 SiC 전력 반도체의 단가를 낮추고 공급을 확대할 수 있는 기반이 마련됐다. 전기차와 재생에너지 등 고효율 전력 변환이 필요한 분야에서 SiC 수요가 급증하는 가운데, 대구경화는 생산성과 원가 경쟁력을 동시에 끌어올리는 전환점으로 평가된다.
Infineon marks innovation milestone with world’s first 300mm power silicon carbide wafer.
HN 토론
62- BrandiATMuhkuh
Infineon을 보면서 놀라운 점은 그들이 칩 위의 LLM을 개발하지 않는 것처럼 보인다는 거예요. 특히 여기 Linz에 Infineon, Apple의 5G 모뎀 설계자, 그리고 Sepp Hochreiter(LSTM의 발명가)가 있는 Johannes Kepler University가 바로 옆에 붙어 있는데도 말이죠.
최근에 Infineon AI 책임자의 인터뷰를 봤는데, 멋진 하드웨어에 대한 이야기를 들을 수 있을 거라 기대하고 있었어요. 그런데 그가 한 얘기라고는 그저 자기가 LLM을 어떻게 사용하는지에 대한 것뿐이었습니다.
- bradknowles
그 페이지 맨 위의 요약은 이렇습니다:
Infineon, 세계 최초 300밀리미터 전력용 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼로 혁신 이정표 달성
PBusiness & Financial Press
2026년 11월 09일
Infineon, 300밀리미터 실리콘 카바이드 웨이퍼로 처리된 업계 최초의 기능성 전력 소자 공개
이 기술적 돌파구는 전력 반도체 및 광대역갭 기술 분야에서 Infineon의 혁신 역량과 리더십을 뒷받침합니다
300밀리미터 SiC 공정의 실현 가능성은 자동차, 재생 에너지, 산업 및 AI 데이터센터 응용 분야 고객에게 안전하고 미래 지향적인 SiC 공급의 기반을 마련합니다
Infineon은 2026년 11월 10일 뮌헨에서 시작되는 electronica 무역 박람회에서 첫 번째로 처리된 300밀리미터 SiC 웨이퍼를 대중에 공개할 예정입니다
- johntb86
왜 300mm로 전환하는 데 이렇게 오래 걸렸는지 아는 사람 있나요? 기사에서 언급했듯이, 그들은 주로 실리콘용으로 설계되어 몇 년 전에 전환된 기존 300mm 장비를 사용하고 있습니다. 일부 공정 단계는 다를 것이라고 생각합니다(주로 더 큰 보울로 성장시키는 것, 하지만 아마 다른 것들도), 그렇다고 해서 그것들이 큰 장애물이 될 것 같지는 않습니다.
- novaRom
여러분, 유럽에서 DRAM 생산을 다시 시작해 주실 수 있나요? 20년쯤 전에 가능했다면, 오늘날이 최고의 경제적 기회입니다.
- mercurywells
Wolfspeed는 올해 초에 이미 300mm에 도달한 걸로 알고 있었는데요?