Samsung presenta zHBM, que apila la memoria directamente sobre los aceleradores de IA
Samsung Debuts zHBM Prototype, Stacking Memory Directly on AI Accelerators
Samsung mostró en FMS 2026 un prototipo de zHBM, una arquitectura que coloca la HBM verticalmente sobre los aceleradores de IA (xPUs) para acortar la distancia de los datos. Según la compañía, ofrece hasta ocho veces el rendimiento de procesamiento de HBM5 y triplica la eficiencia por vatio, además de reducir a más de la mitad la resistencia térmica. También presentó zNAND-O, V10 BV-NAND de más de 400 capas y productos como HBM4E, HBM5 y LPDDR5X-PIM.
zHBM puede ofrecer hasta ocho veces el rendimiento de procesamiento de datos de la octava generación de High Bandwidth Memory (HBM5), a la vez que mejora el rendimiento por vatio por un factor de tres.