Samsung zHBM, AI 가속기 위에 메모리를 직접 쌓아 최대 8배 성능
Samsung Debuts zHBM Prototype, Stacking Memory Directly on AI Accelerators
Samsung이 FMS 2026에서 AI 가속기(xPU) 위에 HBM을 수직으로 쌓는 zHBM 프로토타입을 공개했다. 기존 HBM5 대비 최대 8배 데이터 처리 성능과 3배 전력 효율을 제공하며, 열 저항은 절반 이상 줄였다. 메모리와 가속기 사이 인터레이어에 IP 블록을 추가해 용량과 성능을 맞춤화할 수 있다. zNAND-O와 400단 이상 V10 BV-NAND도 함께 선보였다.
zHBM은 최대 8배의 데이터 처리 성능을 제공하면서 와트당 성능을 3배 향상시킨다.