Samsung traslada el controlador de memoria a la base de HBM para reducir consumo y área
Hot Chips 2026: Samsung and HBM Base Die Opportunities
En Hot Chips 2026, Samsung presentó sus planes para HBM4 y HBM4E, fabricados ahora en un nodo lógico de 4nm. Al pasar la base die de un nodo DRAM a uno lógico, Samsung liberó área que antes ocupaban los PHYs, y propone usarla en tres fases: integrar el controlador de memoria en la base die, añadir sensores, bloques de test y expansión de memoria, y en una fase más agresiva, apilar HBM directamente sobre el chip de cómputo. El artículo analiza los desafíos térmicos y de estandarización, y señala que algunas ideas, como el test en chip, son viables, mientras que otras, como el cómputo cercano a memoria, son más especulativas.
Samsung encontró que tenían mucha área de base die sin usar, y están buscando oportunidades para usar esa área para hacer cosas divertidas.