Samsung stapelt Speicher direkt auf KI-Beschleuniger – bis zu achtmal schnellere zHBM
Samsung Debuts zHBM Prototype, Stacking Memory Directly on AI Accelerators
Samsung hat auf der FMS 2026 in Kalifornien erstmals Prototypen von zHBM und zNAND-O gezeigt. zHBM stapelt HBM vertikal direkt auf KI-Beschleunigern (xPUs), verkürzt die Datenwege und soll bis zu achtmal schneller als HBM5 sein, bei dreifacher Leistung pro Watt und halbiertem Wärmewiderstand. Kunden können eigene IP-Blöcke in der Zwischenschicht integrieren. Zudem stellte Samsung zNAND-O mit TSV-Technologie, über 400-Lagen-V10-BV-NAND sowie HBM4E, HBM5 mit HPB und LPDDR5X-PIM vor.
„Wir können integrierte Dienstleistungen vom Produktdesign bis zur Serienproduktion anbieten und Kunden helfen, Entwicklungszyklen zu verkürzen und gleichzeitig Leistung und Energieeffizienz zu optimieren.“